NX5020UNBKR
NX5020UNBK/SOT23/TO-236AB
NX5020UNBKR Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Surface Mount
نوع FET：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (الحد الأقصى)：
±20V
ميزة FET：
-
الصف：
-
التأهيل：
-
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / العلبة：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
50 V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
950mV @ 250µA
المورد الجهاز الحزمة：
TO-236AB
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
1 nC @ 10 V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
330mA (Ta), 680mA (Tc)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)：
1.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
1.8Ohm @ 330mA, 10V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
20.5 pF @ 25 V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)：
310mW (Ta), 1.7W (Tc)
