PMPB06R7VPX
PMPB06R7VP/SOT1220-4/DFN2020M
PMPB06R7VPX Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Surface Mount
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
ميزة FET：
-
الصف：
-
التأهيل：
-
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع FET：
P-Channel
Vgs (الحد الأقصى)：
±8V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
11A (Ta)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
12 V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
900mV @ 250µA
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)：
1.5V, 4.5V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
46 nC @ 4.5 V
الحزمة / العلبة：
6-UDFN Exposed Pad
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
2700 pF @ 6 V
المورد الجهاز الحزمة：
DFN2020M-6
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
8.8mOhm @ 11A, 4.5V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)：
3.7W (Ta), 18W (Tc)
