PSMN1R3-80SSFJ
NEXTPOWER 80 V, 1.2 MOHM, 335 AM
PSMN1R3-80SSFJ Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Surface Mount
نوع FET：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)：
10V
Vgs (الحد الأقصى)：
±20V
ميزة FET：
-
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
الصف：
-
التأهيل：
-
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
80 V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
4V @ 1mA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
246 nC @ 10 V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
335A (Tc)
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)：
341W (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
1.2mOhm @ 25A, 10V
المورد الجهاز الحزمة：
LFPAK88 (SOT1235)
الحزمة / العلبة：
SOT-1235
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
16647 pF @ 40 V
