PXN6R2-60QLAJ
PXN6R2-60QLA/SOT8002/MLPAK33
PXN6R2-60QLAJ Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Surface Mount
نوع FET：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (الحد الأقصى)：
±20V
ميزة FET：
-
الصف：
-
التأهيل：
-
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
60 V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)：
74W (Tc)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)：
4.5V, 10V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
77A (Tc)
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
2.2V @ 250µA
الحزمة / العلبة：
8-PowerVDFN
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
6.2mOhm @ 15A, 10V
المورد الجهاز الحزمة：
MLPAK33
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
29.2 nC @ 10 V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
1765 pF @ 30 V
