PSMN1R3-80SSFJ
NEXTPOWER 80 V, 1.2 MOHM, 335 AM
PSMN1R3-80SSFJ Specifications
Part Status：
Active
Mounting Type：
Surface Mount
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Vgs (Max)：
±20V
FET Feature：
-
Operating Temperature：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade：
-
Qualification：
-
Drain to Source Voltage (Vdss)：
80 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
246 nC @ 10 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
335A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
341W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
1.2mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package：
LFPAK88 (SOT1235)
Package / Case：
SOT-1235
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
16647 pF @ 40 V
