PXN6R2-60QLAJ
PXN6R2-60QLA/SOT8002/MLPAK33
PXN6R2-60QLAJ Specifications
Part Status：
Active
Mounting Type：
Surface Mount
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
FET Feature：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
60 V
Power Dissipation (Max)：
74W (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
77A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.2V @ 250µA
Package / Case：
8-PowerVDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
6.2mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package：
MLPAK33
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
29.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1765 pF @ 30 V
