NX5020UNBKR
NX5020UNBK/SOT23/TO-236AB
NX5020UNBKR Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Tipo de FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)：
±20V
FET Característica：
-
Grado：
-
Calificación：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Carcasa：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
50 V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
950mV @ 250µA
Proveedor Dispositivo Paquete：
TO-236AB
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
1 nC @ 10 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
330mA (Ta), 680mA (Tc)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)：
1.5V, 10V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
1.8Ohm @ 330mA, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
20.5 pF @ 25 V
Disipación de Potencia (Máx.)：
310mW (Ta), 1.7W (Tc)
