PMDXB590UPEZ
MOSFET 2P-CH 20V 0.57A 6DFN
PMDXB590UPEZ Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Característica：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
20V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
1V @ 250µA
Configuración：
2 P-Channel (Dual)
Paquete / Carcasa：
6-XFDFN Exposed Pad
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
0.8nC @ 4.5V
Proveedor Dispositivo Paquete：
DFN1010B-6
Potencia - Máx：
280mW (Ta), 6W (Tc)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
570mA (Ta), 2.3A (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
770mOhm @ 1.2A, 4.5V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
53.5pF @ 10V
