PSMN1R3-80SSFJ
NEXTPOWER 80 V, 1.2 MOHM, 335 AM
PSMN1R3-80SSFJ Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Tipo de FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)：
10V
Vgs (Máx.)：
±20V
FET Característica：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado：
-
Calificación：
-
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
80 V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
4V @ 1mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
246 nC @ 10 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
335A (Tc)
Disipación de Potencia (Máx.)：
341W (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
1.2mOhm @ 25A, 10V
Proveedor Dispositivo Paquete：
LFPAK88 (SOT1235)
Paquete / Carcasa：
SOT-1235
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
16647 pF @ 40 V
