PXN6R2-60QLAJ
PXN6R2-60QLA/SOT8002/MLPAK33
PXN6R2-60QLAJ Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Tipo de FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)：
±20V
FET Característica：
-
Grado：
-
Calificación：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
60 V
Disipación de Potencia (Máx.)：
74W (Tc)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)：
4.5V, 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
77A (Tc)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
2.2V @ 250µA
Paquete / Carcasa：
8-PowerVDFN
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
6.2mOhm @ 15A, 10V
Proveedor Dispositivo Paquete：
MLPAK33
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
29.2 nC @ 10 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
1765 pF @ 30 V
