PXN9R1-60QLAJ
PXN9R1-60QLA/SOT8002/MLPAK33
PXN9R1-60QLAJ Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Tipo de FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)：
±20V
FET Característica：
-
Grado：
-
Calificación：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
60 V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)：
4.5V, 10V
Disipación de Potencia (Máx.)：
56W (Tc)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
56A (Tc)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
2.2V @ 250µA
Paquete / Carcasa：
8-PowerVDFN
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
19.2 nC @ 10 V
Proveedor Dispositivo Paquete：
MLPAK33
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
1099 pF @ 30 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
9.1mOhm @ 10A, 10V
