NX5020UNBKR
NX5020UNBK/SOT23/TO-236AB
NX5020UNBKR Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Surface Mount
Type de FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
FET Caractéristique：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Boîtier：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tension Drain-Source (Vdss)：
50 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
950mV @ 250µA
Fournisseur Dispositif Emballage：
TO-236AB
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
1 nC @ 10 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
330mA (Ta), 680mA (Tc)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)：
1.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
1.8Ohm @ 330mA, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
20.5 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (Max)：
310mW (Ta), 1.7W (Tc)
