PSMN1R3-80SSFJ
NEXTPOWER 80 V, 1.2 MOHM, 335 AM
PSMN1R3-80SSFJ Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Surface Mount
Type de FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)：
10V
Vgs (Max)：
±20V
FET Caractéristique：
-
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade：
-
Qualification：
-
Tension Drain-Source (Vdss)：
80 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
246 nC @ 10 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
335A (Tc)
Dissipation de puissance (Max)：
341W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
1.2mOhm @ 25A, 10V
Fournisseur Dispositif Emballage：
LFPAK88 (SOT1235)
Boîtier：
SOT-1235
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
16647 pF @ 40 V
