PXN6R2-60QLAJ
PXN6R2-60QLA/SOT8002/MLPAK33
PXN6R2-60QLAJ Specifications
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Surface Mount
Type de FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
FET Caractéristique：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)：
60 V
Dissipation de puissance (Max)：
74W (Tc)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)：
4.5V, 10V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C：
77A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.2V @ 250µA
Boîtier：
8-PowerVDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
6.2mOhm @ 15A, 10V
Fournisseur Dispositif Emballage：
MLPAK33
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs：
29.2 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
1765 pF @ 30 V
