NX5020UNBKR
NX5020UNBK/SOT23/TO-236AB
NX5020UNBKR Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
FETフィーチャー：
-
グレード：
-
認定：
-
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ / ケース：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
50 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
950mV @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-236AB
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
1 nC @ 10 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
330mA (Ta), 680mA (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：
1.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
1.8Ohm @ 330mA, 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
20.5 pF @ 25 V
最大消費電力：
310mW (Ta), 1.7W (Tc)
