PMDXB590UPEZ
MOSFET 2P-CH 20V 0.57A 6DFN
PMDXB590UPEZ Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
FETフィーチャー：
-
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
コンフィギュレーション：
2 P-Channel (Dual)
パッケージ / ケース：
6-XFDFN Exposed Pad
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
0.8nC @ 4.5V
サプライヤーデバイスパッケージ：
DFN1010B-6
パワー - 最大：
280mW (Ta), 6W (Tc)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
570mA (Ta), 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
770mOhm @ 1.2A, 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
53.5pF @ 10V
