PSMN1R3-80SSFJ
NEXTPOWER 80 V, 1.2 MOHM, 335 AM
PSMN1R3-80SSFJ Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：
10V
Vgs（最大）：
±20V
FETフィーチャー：
-
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード：
-
認定：
-
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
80 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
246 nC @ 10 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
335A (Tc)
最大消費電力：
341W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
1.2mOhm @ 25A, 10V
サプライヤーデバイスパッケージ：
LFPAK88 (SOT1235)
パッケージ / ケース：
SOT-1235
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
16647 pF @ 40 V
