PXN9R1-60QLAJ
PXN9R1-60QLA/SOT8002/MLPAK33
PXN9R1-60QLAJ Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
FETフィーチャー：
-
グレード：
-
認定：
-
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：
4.5V, 10V
最大消費電力：
56W (Tc)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
56A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.2V @ 250µA
パッケージ / ケース：
8-PowerVDFN
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
19.2 nC @ 10 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
MLPAK33
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
1099 pF @ 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
9.1mOhm @ 10A, 10V
