NX5020UNBKR
NX5020UNBK/SOT23/TO-236AB
NX5020UNBKR Specifications
부품 상태：
Active
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (최대)：
±20V
FET 피처：
-
등급：
-
자격 인증：
-
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
드레인-소스 전압 (Vdss)：
50 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
950mV @ 250µA
공급업체 장치 패키지：
TO-236AB
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
1 nC @ 10 V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
330mA (Ta), 680mA (Tc)
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)：
1.5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
1.8Ohm @ 330mA, 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
20.5 pF @ 25 V
전력 소산 (최대)：
310mW (Ta), 1.7W (Tc)
