PSMN1R3-80SSFJ
NEXTPOWER 80 V, 1.2 MOHM, 335 AM
PSMN1R3-80SSFJ Specifications
부품 상태：
Active
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)：
10V
Vgs (최대)：
±20V
FET 피처：
-
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
등급：
-
자격 인증：
-
드레인-소스 전압 (Vdss)：
80 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
246 nC @ 10 V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
335A (Tc)
전력 소산 (최대)：
341W (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
1.2mOhm @ 25A, 10V
공급업체 장치 패키지：
LFPAK88 (SOT1235)
패키지 / 케이스：
SOT-1235
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
16647 pF @ 40 V
