PXN9R1-60QLAJ
PXN9R1-60QLA/SOT8002/MLPAK33
PXN9R1-60QLAJ Specifications
부품 상태：
Active
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (최대)：
±20V
FET 피처：
-
등급：
-
자격 인증：
-
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
드레인-소스 전압 (Vdss)：
60 V
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)：
4.5V, 10V
전력 소산 (최대)：
56W (Tc)
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C：
56A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.2V @ 250µA
패키지 / 케이스：
8-PowerVDFN
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs：
19.2 nC @ 10 V
공급업체 장치 패키지：
MLPAK33
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds：
1099 pF @ 30 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
9.1mOhm @ 10A, 10V
