PMPB06R7VPX
PMPB06R7VP/SOT1220-4/DFN2020M
PMPB06R7VPX Specifications
Статус детали：
Active
Тип монтажа：
Surface Mount
Технология：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности：
-
Класс：
-
Квалификация：
-
Рабочая температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора：
P-Channel
Vgs (макс.)：
±8V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C：
11A (Ta)
Напряжение сток-исток (Vdss)：
12 V
Vgs(th) (макс.) при Id：
900mV @ 250µA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)：
1.5V, 4.5V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs：
46 nC @ 4.5 V
Корпус：
6-UDFN Exposed Pad
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds：
2700 pF @ 6 V
Поставщик Устройство Корпус：
DFN2020M-6
Rds On (Макс) @ Id, Vgs：
8.8mOhm @ 11A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (максимальная)：
3.7W (Ta), 18W (Tc)
