PXN9R1-60QLAJ
PXN9R1-60QLA/SOT8002/MLPAK33
PXN9R1-60QLAJ Specifications
Статус детали：
Active
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технология：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (макс.)：
±20V
FET Особенности：
-
Класс：
-
Квалификация：
-
Рабочая температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)：
60 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)：
4.5V, 10V
Рассеиваемая мощность (максимальная)：
56W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C：
56A (Tc)
Vgs(th) (макс.) при Id：
2.2V @ 250µA
Корпус：
8-PowerVDFN
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs：
19.2 nC @ 10 V
Поставщик Устройство Корпус：
MLPAK33
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds：
1099 pF @ 30 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs：
9.1mOhm @ 10A, 10V
