NX5020UNBKR
NX5020UNBK/SOT23/TO-236AB
NX5020UNBKR 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Surface Mount
场效应晶体管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压：
±20V
场效应晶体管特性：
-
等级：
-
认证：
-
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
封装 / 外壳：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
漏极至源极电压 (Vdss)：
50 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
950mV @ 250µA
供应商器件封装：
TO-236AB
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
1 nC @ 10 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
330mA (Ta), 680mA (Tc)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）：
1.5V, 10V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
1.8Ohm @ 330mA, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
20.5 pF @ 25 V
最大功耗：
310mW (Ta), 1.7W (Tc)
