PMDXB590UPEZ
MOSFET 2P-CH 20V 0.57A 6DFN
PMDXB590UPEZ 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性：
-
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)：
20V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
1V @ 250µA
配置：
2 P-Channel (Dual)
封装 / 外壳：
6-XFDFN Exposed Pad
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
0.8nC @ 4.5V
供应商器件封装：
DFN1010B-6
最大功率：
280mW (Ta), 6W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
570mA (Ta), 2.3A (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
770mOhm @ 1.2A, 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
53.5pF @ 10V
