PMPB06R7VPX
PMPB06R7VP/SOT1220-4/DFN2020M
PMPB06R7VPX 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性：
-
等级：
-
认证：
-
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应晶体管类型：
P-Channel
最大栅源电压：
±8V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
11A (Ta)
漏极至源极电压 (Vdss)：
12 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
900mV @ 250µA
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）：
1.5V, 4.5V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
46 nC @ 4.5 V
封装 / 外壳：
6-UDFN Exposed Pad
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
2700 pF @ 6 V
供应商器件封装：
DFN2020M-6
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
8.8mOhm @ 11A, 4.5V
最大功耗：
3.7W (Ta), 18W (Tc)
