PSMN1R3-80SSFJ
NEXTPOWER 80 V, 1.2 MOHM, 335 AM
PSMN1R3-80SSFJ 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Surface Mount
场效应晶体管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）：
10V
最大栅源电压：
±20V
场效应晶体管特性：
-
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级：
-
认证：
-
漏极至源极电压 (Vdss)：
80 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
4V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
246 nC @ 10 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
335A (Tc)
最大功耗：
341W (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
1.2mOhm @ 25A, 10V
供应商器件封装：
LFPAK88 (SOT1235)
封装 / 外壳：
SOT-1235
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
16647 pF @ 40 V
