PXN6R2-60QLAJ
PXN6R2-60QLA/SOT8002/MLPAK33
PXN6R2-60QLAJ 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Surface Mount
场效应晶体管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压：
±20V
场效应晶体管特性：
-
等级：
-
认证：
-
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)：
60 V
最大功耗：
74W (Tc)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）：
4.5V, 10V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
77A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
2.2V @ 250µA
封装 / 外壳：
8-PowerVDFN
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
6.2mOhm @ 15A, 10V
供应商器件封装：
MLPAK33
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
29.2 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
1765 pF @ 30 V
